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存算一体技术爆发:昕原半导体28nm ReRAM中试线量产,开启低功耗AI芯片新纪元

2025-04-18

2025年8月,昕原半导体宣布其大陆首条28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试生产线正式量产,标志着中国在新型存储技术领域实现从实验室到商业化的关键跨越。该产线采用自主可控工艺,为AI端侧设备提供低功耗、高算力的存算一体解决方案,有望打破传统冯·诺依曼架构的“存储墙”瓶颈。

技术突破:ReRAM存算一体芯片能效比提升100倍
昕原半导体聚焦ReRAM技术研发,其核心产品“昕·山文”系列安全存储芯片已实现工控领域量产。该芯片基于ReRAM的物理不可克隆函数(PUF)特性,为工业控制系统提供抗物理攻击的安全防护,客户包括禾川科技等头部企业。

在AI存算领域,昕原推出首款28nm ReRAM存算加速阵列芯片,通过将存储单元与计算单元融合,减少90%的数据搬运量,能效比达到传统AI芯片的100倍。公司新技术研究院负责人周博士表示:“ReRAM的阻值特性使其天然适合存内计算,我们的芯片在语音识别场景下功耗仅0.1mW,可支持设备连续工作10年以上无需充电。”

生态共建:从器件迭代到产业联盟
存算一体技术的商业化需跨学科协同创新。昕原半导体构建了“器件-电路-系统”全链条研发体系,拥有完整的设计、制程、测试团队,并自主开发了ReRAM专用EDA工具链。例如,其22nm制程工艺通过优化高低阻值比,将存算阵列密度提升至16Mb/mm²,达到国际领先水平。

为推动生态完善,昕原联合中科院微电子所、寒武纪等机构发起“存算一体技术联盟”,制定从芯片设计到应用部署的标准规范。目前,联盟已吸引50余家企业加入,覆盖智能手表、AR眼镜等终端场景。

市场应用:边缘AI设备迎来“超长续航”时代
随着AI计算向边缘端迁移,低功耗存算芯片需求爆发。昕原半导体与小米、Rokid等厂商合作开发AI眼镜解决方案,其ReRAM芯片使设备续航时间从4小时延长至40小时,同时支持实时语音翻译、图像识别等复杂任务。

“ReRAM是后摩尔时代的‘颠覆者’。”昕原CEO李明表示,“2025年我们的芯片出货量将突破千万级,2026年计划推出12nm制程产品,为自动驾驶、机器人等高算力场景提供核心支撑。”


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